但技术发展到了这个阶段，任重就为亮剑世界引入了更加先进的下一代集成电路的生产技术，引入了具备里程碑意义的8080芯片！
到了8080阶段，这些新的集成电路已经同任重熟悉的电脑芯片非常接近了。
为了减少整个技术叠代的时间，任重同样在主世界找到相关专业技术人员，将8080全套的生产工艺和设备进行了梳理。
把生产8080芯片涉及多个关键步骤和设备，包括晶圆制造、掩膜制作、半导体制造、封装和测试等的资料搞得明明白白，进货到亮剑世界进行二次实现，包括把这些设备重新研制出来。
这可不是一件简单的事情，哪怕是在前面已经研究了大批量集成电路生产设备的基础上，需要为8080生产研究的设备还是非常的艰难。
首当其冲的就是高纯度晶圆制造。
这个过程包括拉晶、晶圆切片、晶圆研磨、侵蚀、硅片抛光、清洗以及芯片外延加工，涉及高纯度的材料和严格的温度控制，以确保晶圆的质量和纯度。
而掩膜制作就是通过光刻技术，利用紫外光对感光材料进行曝光，然后通过化学腐蚀或沉积的方式在芯片表面形成所需的电路图案，这一步骤是确保芯片设计的准确性和可靠性的关键，在芯片制造过程中，这一关就是最核心的所谓光刻环节。
这个制造过程中间涉及沉积、腐蚀、清洗等多个工艺步骤技术难度都不小，特别是离子注入，这个步骤是改变硅片的导电性质，形成电晶体等电子元件的关键步骤，这一过程需要精确控制各种化学物质的浓度和温度，以确保芯片的性能和稳定性。
涉及的工艺设计和实现是芯片制造过程中最难的步骤，没有之一。
而早期的生产设备没有那么完善，所以主世界60年代的芯片生产，更多是要靠人工手搓！
当初的手搓芯片并不是开玩笑，那些初代芯片工程师们，首先在方格纸上，用彩色铅笔绘制好集成电路版图，再用精细的刀片，在光掩模母版（Rubylith Mask)上，徒手把电晶体和电路连接，一点点刻出来，最后把模板图形，用相机缩小50-100倍，才能获得一张用来做光刻的光掩模，而和这种手工掩膜相匹配的原始光刻机，就是接触式光刻机，所以第一代光刻机只是一个人工手搓芯片的辅助工具。
更多的是靠工程师的技术水平。
这种接触式光刻机只会简单粗暴地把光掩膜盖在硅片上，掩膜与光刻胶涂层直接接触，再打光照射，完成曝光，然而这种光照方式的失败率和成本都很高，因为胶体本身及其黏附的浮尘微粒，不仅影响光刻效果，还会对光掩膜造成污染和破环，并且伤害效果会随著光刻次数累积，这不仅使每次光刻的良率低下，往往刻10枚芯片，只有1枚能用，同时也严重损耗光掩膜的寿命，导致一张掩膜，最多只能用个十几次，这样一来，制造芯片的成本非常高。
早期芯片低质高价就是这样出现的。
不过这种方式在最初是解决了有无的问题，有了这样的技术，才能把功能更加强大的芯片制作出来。
要解决这个问题理论上也不难，直观来说，把光掩膜抬起来一点，不让它与光刻胶接触就行。
早期工程师们也是这么想的。于是他们在接触式光刻机的基础上，加了一个水平和垂直方向上可移动的平台，以及一个用来测量光掩膜和硅片间距与套刻（Overlay)的显微镜，让光刻时两者尽量靠近，但又不直接接触，这就是渐进式光刻机。它避免了光刻胶玷污光掩膜，但却带来一个新的问题：那就是由于光的衍射效应，光刻机的精度下降了。
宏观上我们认为，光是沿直线传播的，但微观上并不是这样，光具有波动性，在通过小孔窄缝或遇到细微障碍物时，会产生衍射，或者叫绕射，偏离原本的直线传播，照到不应该照到的地方，光源波长，相比窄缝越大，衍射现象越严重，这就像你举著刀，想在硅片上劈一条100纳米宽的口子，结果发现刀刃就有400纳米宽，只能用来劈瓜。
在渐进式光刻中，光刻精度除了受限于波长之外，还取决于光掩膜到硅片之间的距离，间距越大，硅片上的投影与掩膜上图形的误差就越大。把光掩膜举起来，光刻精度就不够；把光掩膜放下去，光刻成本又太高，这个徘徊于接触和渐进式光刻机的时期，就是半导体史上的遮蔽式光刻年代。而这两种古早的光刻机，统称为Mask Aligner，它们所使用的1：1光掩膜，就是一个遮光板，光刻机只用把光影照在硅片上，构造简单，不需要任何复杂的光学系统。
接触式光刻机
这种接触式光刻机，虽然说也可以用来生产出芯片，早期的SRAM存储芯片，以及古早时期第一枚商用CPU，都是用这种设备来生产的，但在当时却没有什