钟以内，把炮兵阵地的位置推算误差降低到100米左右。

    以现在炮兵的反击能力来说，这同开挂作弊没有什么区别了。

    大量电晶体化的新式都卜勒雷达，开始发挥初步的威力。

    “太难了，要得到现代化的微波电晶体，必须具有微米或亚微米的精细几何尺寸。这个加工工艺，哪怕是花钱买过来了暂时也没有太多好的办法实现啊。

    这制造工艺需要薄层外延技术、浅结扩散或离子注入技术、投影曝光、远紫外曝光、X射线曝光、电子束曝光等微细加工技术的发展，需要发展的前置技术实在太多了。

    而且在这方面，微波电晶体加工同集成电路的加工已经开始有了不少的重迭。

    看来一蹴而就是行不通的，还得梳理清楚各个配套技术的发展脉络，从头开始啊。”

    任重看著搜集起来的资料，不得不表示，一个文科生解决这些问题实在是太难了。

    所以任重没打算自己来，而是祭出花钱大法，开始收买技术资料。

    当先要解决的就是离子注入器（机），这个设备说起来也是历史悠久，在主世界可以追溯到50年代，半导体离子注入设备是半导体制造中重要的设备之一，它可以将离子注入到半导体材料中，从而改变其导电性能。这个过程需要在真空环境中进行，以避免杂质对半导体材料的影响。

    可以说半导体和其后的芯片制造都离不开这样的设备。

    具体来说，就是将气体形态的掺杂化合物原材料导入反应腔，加入电场和磁场交作用形成电浆等离子体；离子束从反应腔萃取出来后，受到电场牵引而加速前进，并在通过磁场后进行二次加速，提高离子束射程；通过质量分析器筛选需要的离子源；离子源通过精准的离子扫描系统，保障掺杂离子能够均匀地注入至整个硅晶圆上。

    整个过程非常精密，好在这个设备现在基础款已经有了比较普及的技术，花钱就能买。

    在电晶体的核心材料方面，第一代的电晶体采用锗制造了结型电晶体，但是这第一代电晶体有一个致命缺点，温度超过80℃就会出现严重问题。这是它的先天型缺陷，除了做好表面降温没有其他方法，所以功率放大方面锗电晶体就很有限。

    但是相对来说，锗电晶体算是比较容易实现的电晶体，锗拥有较低的熔点，就意味著其晶体更容易生长，生产电晶体就想对容易。所以任重还是选择了这种材料，算是快速实现了第一代电晶体计算机，当然散热方面背上的风扇就比较多。

    在接下来，半导体技术研究的方向就是攻克硅电晶体！

    这才是真正主流的技术，能用到二十一世纪。

    硅电晶体是npn结构，需要通过生长结工艺制造，硅具有更大的禁带宽度，使其能够在更高的温度下工作（见表1），其次，因为它与其氧化物二氧化硅（SiO2）具有显著的协同配合作用。

    通过简单地在含氧气氛中加热硅，就可以廉价地形成高介电强度、电绝缘的SiO2层。这种SiO2层在化学和机械上非常稳定，可以有效地钝化硅的表面态，为常用的掺杂剂形成有效的扩散阻挡层，并且可以很容易地在硅上蚀刻或沉积。

    正因为有著这么优异的性能，硅电晶体成为半导体时代的宠儿，雄霸半导体大半个时代。仅仅是半导体硅晶圆的生产，那就变成了几百亿美刀的市场，支撑著万亿级别的半导体市场。

    然而生产半导体级硅极为不容易，需要将硅的纯度提纯到极高的水平，通常超过9个9（即99.999999%），才可以用于制造半导体电晶体，对于眼下来说，这个是地狱级难度。

    在主世界，目前也只有两种工艺方法能实现商业化生产。

    CZ法是制备半导体级硅的主要方法，其原理是将高纯度硅料加热到熔化状态，然后通过旋转晶棒和控制温度的方式，在晶棒和硅之间形成一个界面。晶棒缓慢下拉，同时在晶棒和硅之间拉出一条细长的硅棒，其内部结构和晶格与晶棒完全相同。由于晶棒和硅之间的区域极为清洁，通过这种方法可以制备出高纯度的半导体级硅材料。

    FZ法是另外一种常用的半导体级硅制备方法，其原理是在硅晶体周围加上强磁场，通过电感加热将硅材料熔化，然后通过控制电磁感应和运动方向在硅材料中形成一定的区域熔融。在熔融区域周围形成一个较宽的带状溶解层，溶解层逐渐与上方的固硅晶层分离形成硅棒，通过这种方法可以制备出高纯度的半导体级硅材料。