当一位欧洲学者用复杂的固体物理术语探讨硅中位错成因和滑移系时，陆向真流畅地与之交流了几个回合，随即自然地转向林翰民：“林教授，您在晶体缺陷理论方面造诣深厚，这个问题请您为客人详细解答一下如何？”
林翰民会意，立刻接话，用略带口音但逻辑极为清晰的言语，引经据典，从晶格结构、热应力分布讲到他们观察到的具体现象和理论推演，深入浅出，既解答了对方的疑问，充分展示了己方的理论深度，又巧妙地将话题控制在基础理论层面，未触及任何核心工艺。
那位欧洲学者听完翻译，脸上露出由衷的佩服神情，连连点头，主动向林翰民伸出手去。
参观到器件工艺验证实验室时，江晓负责讲解。
她起初有些紧张，声音微颤，但在陆向真鼓励的目光下，很快稳定下来。
她负责介绍的是他们如何利用自产的硅片进行简单的二极管和晶体管试制，并对器件性能进行初步测试。
她拿出一组测试数据图表，用清晰的图表和对比数据，说明了采用不同质量硅片对最终器件性能的关键影响。
讲解过程中，一位年轻的外国技术人员似乎觉得她年纪轻、资历浅，试图用一个比较偏门的技术参数概念来考较她。
江晓愣了一下，这个参数确实有些生僻。现场气氛微微凝滞。
然而，江晓并没有慌乱，她凝神思索片刻，随即用清晰的语言回答道：“您提到的这个参数，更常用于表征高频器件下的界面特性。目前我们的工作重点还集中在解决材料的基础性能和批量一致性上，对于您提到的这个参数，我们有一定的监测数据，但尚未作为核心控制指标。不过，根据我们的理论模型推测，优化我们现有的表面处理工艺，应该能对这个参数的改善产生积极影响……”
她不仅承认了当前工作的侧重点，展现了诚实，更随即联系到己方的工艺方向，提出了合理的推断，显示出扎实的知识储备和灵活的思路。
那位提问的年轻技术人员听完翻译，脸上露出一丝讪讪之色，不再多言。
代表团中几位年长的专家则对江晓投去了赞赏的目光。
陆向真和何沁对视一眼，眼中都流露出欣慰。
新生代，已经能够独当一面了。
整个参观过程，就像一场没有硝烟的技术交锋。
中方科研人员用扎实的工作、清晰的逻辑和得体的应对，一步步扭转着外宾们最初的预设印象。
他们依旧能看出共和国在整体设备水平、自动化程度、生产规模上与西方的巨大差距，但再也没有人敢轻视这群在简陋条件下，凭借智慧和汗水，硬生生在硅基之路上开辟出一片天地的科学家。
沈屹虽然全程陪同部委领导，看似主要在应对官面上的交流，但他的目光始终若有若无地关注着技术交锋的现场。
看到陆向真从容应对、滴水不漏，看到何沁调度有方、细节把控到位，看到王世钧底气十足、展现工匠精神，看到江晓沉稳作答、后生可畏，他冷峻的嘴角偶尔会牵起一丝几不可察的弧度，那是一种与有荣焉的骄傲。
参观结束后的大型技术交流会，气氛则相对融洽了许多。
代表团团长格哈特教授做了主题发言，介绍了国际半导体技术的最新进展和发展趋势，信息量巨大，令在场的共和国科研人员受益匪浅，也更清醒地认识到自身的差距和未来的挑战。
陆向真代表研究所，做了一个精心准备的报告。报告重点介绍了研究所在高纯材料制备、晶体生长技术基础研究方面取得的进展，列举了大量扎实的实验数据和应用案例（当然是经过筛选的），清晰地勾勒出一条符合国情、自力更生的发展路径。报告既展现了成绩，也坦诚了面临的困难和挑战，态度不卑不亢。
报告完毕，会场响起了热烈的掌声，尤其是中方人员，掌声中充满了自豪与激动。格哈特教授、福斯特博士等人也礼貌鼓掌，几位技术专家看向陆向真的目光里，多了几分真诚的敬意。
他们明白，在这个物质条件相对匮乏的国度，取得这样的成果，需要付出何等惊人的努力和智慧。
随后的自由交流环节，气氛更加活跃。
双方就共同关心的技术难题，如更大直径单晶的控晶技术、新型掺杂源的开发、氧化层质量控制等，进行了深入的探讨。
虽然言语需要通过翻译，有时甚至需要借助黑板画图才能理解彼此的意思，但那种专注于技术本身的纯粹氛围，感染了在场的每一个人。
一些初步的合作意向也开始萌芽，比如双方交换一些不涉及核心机密的公开技术文献，共同开展一些基础理论课题的研究等。
这无疑是此次交流最实质性的收获之一。
晚上的接待晚宴设在北京饭店。气氛比白天的技术交流轻松了许多。