监测点分布图用 1:10 比例绘制密码机内部结构，标注 12 个热电偶位置：运算核心 PCB 的晶体管阵列（3 个，编号 T1-T3）、存储控制 PCB 的磁芯存储器（2 个，T4-T5）、接口环境 PCB 的通信芯片（3 个，T6-T8）、电源模块（2 个，T9-T10）、整机外壳（2 个，T11-T12），每个监测点标注坐标（如 T1：运算 PCB X5cY5c，监测范围覆盖核心芯片区域。
设备清单记录：数据采集仪 DS-1965（采样率 1 次 / 分钟，通道数 16 路，北京无线电仪器厂生产）、热电偶传感器（型号 K 型，上海仪表厂生产，精度 ±0.1℃）、示波器 SR-8（带宽 10MHz，频响 0-10MHz），所有设备均经计量校准（校准日期 1965.9.30），确保数据准确性。
档案末尾 “环境验收记录” 显示：10 月 10 日 8:00-10:00，试验箱从室温 25℃降至 - 37℃，降温速率 5℃/ 小时，温度波动 ±0.3℃，数据采集仪与示波器信号正常，验收结论为 “合格”，档案有李工、赵工签名，日期为 10 月 10 日。
四、72 小时持续测试的流程设计与执行
王工团队制定标准化测试流程，分阶段执行 72 小时持续校验，确保每个环节监测到位、数据完整，避免人为疏漏。
第一阶段：降温与稳定（10.10 8:00-12:00），试验箱以 5℃/ 小时速率从 25℃降至 - 37℃，每小时记录 1 次芯片温度、电压、电流参数，观察密码机是否正常启动（如指示灯亮、信号波形稳定），此阶段未出现异常启动故障，芯片初始工作正常率 100%。
第二阶段：恒温持续测试（10.10 12:00-10.13 12:00），试验箱维持 - 37℃恒温，数据采集仪每分钟采集 1 次参数，每 12 小时人工检查 1 次示波器波形与设备外观（如是否结霜、线缆是否松动），期间模拟 3 次市电中断（每次 5 分钟），验证备用电源切换时芯片工作连续性。
第三阶段：升温与恢复（10.13 12:00-14:00），以 5℃/ 小时速率从 - 37℃升至 25℃，每 30 分钟记录 1 次芯片参数，观察温度回升过程中芯片性能是否恢复（如晶体管放大倍数、存储错误率是否回归常态），避免低温损伤导致不可逆性能衰减。
测试执行过程中，团队严格遵守 “不干预原则”：仅在预设时间点检查设备状态，不调整任何参数；异常数据（如某时刻错误率突升）实时标记但不中断测试，待校验结束后集中分析，确保测试数据反映真实低温性能。
五、芯片工作状态的实时记录与数据采集
李工团队负责实时记录芯片工作状态，通过多维度参数采集，全面捕捉 72 小时内芯片性能变化，为稳定性分析提供第一手数据。
运算核心芯片记录：重点监测 3AG1 晶体管的放大倍数（通过电压放大倍数计算）、矩阵运算速度，每小时抽样 100 次运算数据。结果显示：-37℃恒温阶段，晶体管放大倍数稳定在 70-75（常态 80，下降 6.25%-12.5%），运算速度保持 0.68-0.7μs / 次（达标≥0.7μs / 次），无运算中断现象。
存储控制芯片记录：监测磁芯存储器的读写错误率、控制芯片工作电压（5V±0.05V），每分钟统计 1 次错误次数。72 小时内，读写错误率稳定在 0.0005%-0.0008%（达标≤0.001%），控制芯片电压波动≤0.03V，无数据丢失或地址冲突，存储功能稳定。
接口环境芯片记录：监测通信接口芯片的响应延迟、信号错误率，通过示波器观察波形是否畸变。结果显示：响应延迟稳定在 0.08-0.09μs（达标≤0.1μs），信号错误率 0.005%（达标≤0.01%），低温下波形无明显畸变，接口通信正常。
特殊工况记录：3 次市电中断（10.11 00:00、10.12 06:00、10.13 00:00）期间，备用电源切换时间≤0.1 秒，切换过程中芯片工作未中断，数据交互错误率未上升，验证了低温下电源切换的芯片稳定性。
六、历史补充与证据：芯片状态原始记录档案
1965 年 10 月的《“73 式” 低温芯片状态原始记录档案》（档案号：DW-1965-002），现存于军事通信技术档案馆，包含参数记录表、示波器波形图、异常标记单，共 148 页，由李工、孙工共同记录，是数据采集的直接证据。
档案中 “运