赵建成通过视频连线从崑山参加了討论——苏辰特意安排了这一点，因为在座的学术大佬们虽然理论功底深厚，但对一线的製造现状了解有限。
赵建成的匯报简洁而专业：
“目前鸿远微系统的產线现状——suss步进光刻机一台，牛津仪器刻蚀机一台，莱宝薄膜沉积设备一套。4英寸全套流程。。新增一台drie深硅刻蚀设备，实现高深宽比硅通孔刻蚀。薄膜沉积设备升级到能做aln压电薄膜。“
“预计三到四个月完成升级。“
听完赵建成的匯报，清华的孙教授第一个开口了：
“赵工，你说的drie设备——牛津仪器的最新款有出口管制，你们买到的是哪个型號？“
“上一代的plaspro 100 estrelas。“赵建成说，“最新款確实受限，但上一代没有管制问题。性能上差一些，但经过参数优化后能满足我们的需求。“
“差多少？“孙教授追问。
“深宽比方面，最新款能做到30:1，上一代大概在20:1左右。但我们第一步目標对標b270，20:1已经足够。“
“但第二步呢？“孙教授的眼神变得锐利起来，“你们要做超越村田scr1100的高精度陀螺仪——那种结构对drie的深宽比要求至少要25:1以上。上一代设备做不到。“
赵建成沉默了一秒。
这时候苏辰开口了：
“孙教授说得对。这正是我想在今天的討论中提出的核心问题。“
苏辰站了起来。
“的製造工艺，传统路线有两条——表面微加工和体硅微加工。“
“表面微加工成本低、產能高，但精度有天花板——这是目前大部分消费级的主流工艺。“
“体硅微加工精度高、可靠性好，但工艺复杂、成本高——这是军工级的主流工艺，也是村田scr1100使用的工艺基础。“
“如果我们走传统路线——先做表面微加工，再逐步过渡到体硅微加工——至少需要三到五年。“
“但我的想法不一样。“
苏辰在白板上画了一个简图：
会议室里立刻出现了交头接耳的声音。
上海微系统所的钱研究员第一个提出了质疑：
“苏总，soi混合工艺在国际上也只是在实验室阶段有过验证。意法半导体和博世都还没有在量產线上全面採用。你们一条4英寸的產线，直接上soi混合工艺——风险是不是太大了？“
“而且soi晶圆的成本是普通硅晶圆的五到八倍。“钱研究员补充道，“你们的资金能承受吗？“
面对质疑，苏辰没有著急。
“钱老师说的风险確实存在。但我想换一个角度来看这个问题。“
“但如果我们直接从soi混合工艺切入——虽然第一步的门槛更高、风险更大，但一旦突破，我们將直接站在和国际巨头同一代工艺的起跑线上。“
“不是追赶。而是平起平坐。“
“这和鸿远一贯的风格一致——我们从来不按別人走过的路再走一遍。“
清华的孙教授若有所思地点了点头。
但周建华院士的表情依然很平静，看不出支持还是反对。
这时候，赵建成在视频里插了一句话：
“如果要走soi混合工艺路线，drie的深宽比问题確实是瓶颈。但我想说一件事——“
“我刚从微感半导体过来，之前做过类似的drie参数优化。同样的设备，通过调整刻蚀气体比例、循环参数和基台温度，深宽比可以从標称的20:1提升到24:1左右。“
“而且——“
赵建成顿了顿：
“我刚招到了一位叫陈国栋的老师傅。52岁，在drie工艺上有三十年经验。他的手感和经验，能让同样的设备发挥出不一样的性能。“
“手感？“周院士终於开口了，语气中带著一丝好奇。
“是的。“赵建成说，“这个人对硅片的理解已经到了直觉层面。別人需要用显微镜才能看到的晶圆缺陷，他用手指摸一下就能感觉到。同样的设备、同样的
“在工艺领域，经验有时候比设备更重要。“
会议室里安静了几秒。
然后周院士说了一句意味深长的话：
“工艺knowhow的核心载体是人，不是时间——原来你不是隨便说的。“
苏辰微微笑了。
“周院士，我说的每一句话都不是隨便说的。“
周院士看了苏辰几秒，然后缓缓点了点头。
“soi混合工艺路线——我支持。“
这句话一出，