集成度与技术先进度的关键指標。

    1n艺晶片是硅基技术的物理极限，目前为止，全世界半导体行业无人能做到，最先进的量產製程为2n由三星、台积电掌控，我国大陆目前只能做到7n与全球最先进水平存在2-3代差距。

    拿手机举例，挨炮儿最新款的17系列，搭载a19晶片，採用台积电第三代3n程工艺，18系列將採用2n程工艺。

    而龙国的华伟最新款旗舰机，搭载国產自研晶片麒麟9020，採用了中芯国际的7n程工艺，与挨炮儿手机仍有很大差距。

    晶片製造是人类工业文明的巔峰级复杂工程，其难度堪比在指甲盖大小的晶圆上，雕刻一座功能完整且精度达纳米级的城市，需要横跨材料、物理、化学、精密机械、软体工程等数十个学科。

    当製程推进到 7n以下时，硅基电晶体架构会遭遇量子隧穿效应，电子不再遵循经典电路规律，会直接穿透绝缘层，导致晶片漏电，功耗飆升。

    为了突破这个瓶颈，需要从平面电晶体升级到gaa等3d架构，相当於把电晶体从“平房”改成“摩天大楼”，对结构设计和製造精度的要求呈指数级增长。

    到 1n別时，电晶体的尺寸已经接近硅原子的直径，约 0.2n原子级別的误差都会导致晶片失效，传统的硅基材料已经无法承载，需用石墨烯和碳化硅等更先进的材料替代。

    解决了1n片设计及材料问题，不代表就能生產出来，还需要光刻机承制。

    光刻机对於晶片而言，相当於在纳米级精度的“画布”上雕刻出电路图案的核心“刻刀”，好比顶级手术刀之於心臟搭桥手术，缺了它，再精密的设计蓝图都只能是纸上谈兵。

    而我国的光刻机技术与国际先进水平还有很大差距，已经量產的主力为90n65n紫外光源duv光刻机，搞搞汽车、电视、空调、洗衣机、工业控制等大晶片没问题，做手机不行。

    中芯国际虽然实现了7n片製造，可良品率低、成本高，仅適配特定高端晶片需求。

    世界最先进的光刻机技术由荷国as掌握，属於极紫外线光源即euv光刻机，台积电、三星等诸多集成电路製作商均依赖as光刻机。

    米国因遏制龙国发展，曾向荷国施压，进行光刻机技术封锁，导致我国在光刻机领域被卡了脖子。

    不过现在，顾云帆掌握了比荷国as更先进的1n程光刻机技术，以及全球最先进的1n限晶片研发技术，成功突破西方封锁。

    顾云帆正在研发的人工智慧机器人，需要用到3n5n端晶片，如今拥有了1n片技术，可谓如虎添翼，顺便来了一场及时雨，要不然还得高价购置国外高端晶片。

    妙哇——

    顾云帆洗过澡，躺在床上默默接受系统传功。